K-BOND
3 modes · 10-MDP · pH 3.5
DENTAL ADHESIVE SELECTOR
K-BOND Universal 與 EsBond 都是單瓶黏著劑,但決策核心完全不同: 三種酸蝕模式與多基材彈性,對上標準化全酸蝕 wet-bonding。
依 SPIDENT 官方產品頁、K-Bond Universal Leaflet、EsBond Leaflet 與 IFU 整理|核對:2026-07-28
3 modes · 10-MDP · pH 3.5
Total-etch · Acetone · Wet bond
PRODUCT GLOSSARY
兩款都是單瓶,但「單瓶」不代表流程相同;酸蝕策略、溶劑與牙本質濕度管理才是差異。
Universal adhesive|通用型單瓶黏著劑
Etch-and-rinse adhesive|第五代全酸蝕單瓶黏著劑
30-SECOND ANSWER
FLEXIBLE PROTOCOL
選 K-BOND Universal。 適合希望同一系統跨多種直接與間接情境的診所。
DIRECT COMPOSITE
兩款皆可。 K-BOND 提供酸蝕策略彈性;EsBond 維持熟悉的第五代全酸蝕流程。
CLASSIC TOTAL-ETCH
EsBond 是直接、清楚的選擇。 全酸蝕後維持濕潤表面,再以 acetone-based 黏著劑完成。
INTERACTIVE CASE SELECTOR
選擇酸蝕策略與修復任務;系統會給出首選方向與操作提醒。
SIDE-BY-SIDE
| 比較項目 | K-BOND Universal | EsBond |
|---|---|---|
| 產品類型 | 單瓶 universal bonding agent | 第五代單瓶 primer + adhesive |
| 酸蝕模式 | Total/selective/self-etch 三種皆可 | Total-etch wet-bonding |
| 關鍵組成/設計 | 10-MDP、多重 initiator、aliphatic amine;pH 3.5 | Pyromellitic dimethacrylate、HEMA、acetone |
| 基本黏著步驟 | 塗抹並 scrub 20 秒 → 吹 5 秒 → 光照 20 秒 | 酸蝕 15 秒 → 沖洗 10 秒 → blot → 2–3 層塗抹 15 秒 → 吹 5 秒 → 光照 |
| 光照 | Leaflet 示範 20 秒 | 1200 mW/cm²:20 秒;600 mW/cm²:30 秒 |
| 適用方向 | 直接 composite、修補、根面去敏;官方頁也列直接與間接程序 | 本頁以光固化直接 composite 與一般修補流程為主 |
| 臨床優勢 | 同一瓶切換三種酸蝕策略、低膜厚、流程彈性高 | 團隊熟悉的第五代全酸蝕流程、濕黏著技術可預期 |
| 最容易出錯 | 以為 universal 就不需主動 scrub、吹薄與完整光照 | 牙本質過度乾燥、積水,或沒有連續塗佈 2–3 層 |
WORKFLOW → RESULT
「省略」只代表該產品正式流程不需要某一步,不代表可以跳過隔濕、清潔、主動塗擦、吹薄或光照。
K-BOND 三種都能做;EsBond 只能走全酸蝕流程。
TOTAL-ETCH / ETCH-AND-RINSE
SELECTIVE-ETCH
SELF-ETCH
FineEtch 琺瑯質+牙本質 10–15 秒 → 沖洗、乾燥
不能省酸蝕與沖洗;不採 EsBond 指定的 glistening wet-bonding 步驟。只酸蝕琺瑯質邊緣 10–15 秒 → 沖洗、乾燥
省略牙本質磷酸酸蝕與牙本質 wet-bonding 管理。窩洞清洗 → 直接塗 K-BOND
省略 FineEtch 與酸蝕後沖洗;仍不能省主動 scrub。琺瑯質與牙本質全酸蝕。
完整移除磷酸與反應產物。
表面 glistening、不可積水,也不可吹到過乾。
以飽和 applicator 主動塗擦 15 秒。
1200 mW/cm²:20 秒;600 mW/cm²:30 秒。
| 比較重點 | K-BOND Universal | EsBond |
|---|---|---|
| 可以省略什麼 | Selective-etch 可省牙本質磷酸酸蝕;self-etch 可連 FineEtch 與酸蝕後沖洗一起省略。 | 不能省略 total-etch、沖洗與 blot;它沒有 selective/self-etch 路徑。 |
| 兩款都不能省 | 隔濕、窩洞清潔、scrub 20 秒、吹薄 5 秒、光照 20 秒。 | 隔濕、濕度控制、2–3 層主動塗擦 15 秒、吹薄與充分光照。 |
| 琺瑯質結果 | Total/selective-etch 先用磷酸建立微孔洞,預期邊緣固位較佳;純 self-etch 的琺瑯質酸蝕較溫和。 | 每次都以磷酸酸蝕琺瑯質,形成傳統且明確的微機械固位。 |
| 牙本質結果 | Selective/self-etch 保留較多 hydroxyapatite,讓 10-MDP 除樹脂滲入外,也有形成 MDP-Ca 化學作用的理論基礎。 | 磷酸移除 smear layer 並暴露膠原網;靠濕潤狀態下的樹脂滲入形成 hybrid layer。 |
| 操作敏感點 | 選錯酸蝕範圍,或把 universal 誤解成只要輕擦、不做完整 scrub/吹薄。 | 牙本質過乾造成膠原塌陷;過濕則可能稀釋材料、增加殘水與溶劑揮發負擔。 |
| 臨床取向 | 需要依 CASE 在三種策略間切換時更有彈性;琺瑯質邊緣存在時,selective-etch 常是兼顧兩種基材的做法。 | 適合已標準化全酸蝕與濕黏著、能穩定控制 blot 濕度的團隊。 |
磷酸在琺瑯質形成微孔洞,樹脂滲入後形成 resin tags。系統性回顧顯示,mild universal adhesive 加做 selective enamel etch,通常能改善琺瑯質黏著表現。
查看系統性回顧 ↗10-MDP 可與牙體 hydroxyapatite 的鈣離子形成 MDP-Ca 鹽與奈米層狀結構。這解釋了 selective/self-etch 保留礦物時的化學黏著理論,但不是 K-BOND 對 EsBond 的直接臨床勝負證明。
查看 10-MDP nanolayering 研究 ↗全酸蝕後需要維持去礦化膠原網的微孔隙,讓樹脂充分滲入。Acetone-based adhesive 對表面濕度較敏感;乾燥牙本質的樹脂滲入量可能下降,因此 IFU 要求 blot 後保持 glistening。
查看 wet/dry dentin 研究 ↗CLINICAL WORKFLOW
先對琺瑯質與牙本質使用 FineEtch;完成沖洗、乾燥後,再進入下方 K-BOND 共同步驟。
不要只「擦一下」;主動摩擦是流程的一部分。
形成均勻薄膜並揮發溶劑。
再進入 restorative material placement。
Rubber dam 為 IFU 建議的隔濕方式。
琺瑯質與牙本質全酸蝕;沖洗 10 秒。
表面應保持 glistening、不可積水;過乾會妨礙 hybrid layer。
每層連續塗佈;以飽和 applicator 主動塗擦。
1200 mW/cm² 照 20 秒;600 mW/cm² 照 30 秒。
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